光刻機，被譽(yù)為芯片產(chǎn)業(yè)的皇冠明珠，曾經(jīng)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)，它被視為比還稀缺的存在，制造難度極高，工藝復雜，涉及多國頂尖技術(shù)的集成。

　　然而，在前幾天項立剛表示，這顆曾經(jīng)被人垂青的明珠如今卻正在逐漸變成中國自主掌控的玻璃珠，標志著(zhù)中國芯片產(chǎn)業(yè)了新的起點(diǎn)。

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　　早在上世紀80年代，中國就已經(jīng)開(kāi)始了自主研制光刻機的嘗試，然而，由于當時(shí)基礎薄弱、技術(shù)實(shí)力有限，加之缺乏關(guān)鍵零部件供給，這一努力最終不得不放棄。

　　主要基于光刻機是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵設備，代表了集成電制造的最高技術(shù)水平。

　　掌握了光刻機，就等于掌握了芯片制造的命門(mén)，直接關(guān)系到一個(gè)國家在電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。

　　由于芯片產(chǎn)業(yè)被認為是支撐國家綜合國力的戰略性產(chǎn)業(yè)，擁有先進(jìn)的芯片設計和制造能力意味著(zhù)在國防玻璃珠、航空航天、人工智能等領(lǐng)域占據優(yōu)勢。

　　國家出于自身戰略利益的需求，不希望中國在芯片領(lǐng)域取得重大突破，因為中國是國家的主要經(jīng)濟競爭對手，中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有利于國家在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷地位。

　　另一方面，一些國家擔心，如果中國掌握了先進(jìn)芯片制造技術(shù)，可能會(huì )將其用于軍事等領(lǐng)域，從而到國家的，因此，對中國實(shí)施技術(shù)成為一種防范措施。

　　最后，光刻機技術(shù)高度復雜精密，很多關(guān)鍵零部件和技術(shù)都掌握在國家手中，出于知識產(chǎn)權的考慮，國家不愿意將這些核心技術(shù)轉讓給中國。

　　直到近年來(lái)，隨著(zhù)國家持續大力投入和科研實(shí)力的不斷增強，中國才在這一領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。

　　經(jīng)過(guò)20多年的自主研發(fā)，上海微電子在A(yíng)rF(193納米)和KrF(248納米)光刻機領(lǐng)域達到了國際先進(jìn)水平。

　　其ArF和KrF光刻機已實(shí)現批量供貨，成為華為海思、紫光展銳等龍頭芯片企業(yè)的重要供應商。

　　華卓精科則在EUV(13.5納米)極紫外光刻機領(lǐng)域取得突破，EUV光刻機是目前最先進(jìn)的光刻設備，可實(shí)現5納米及以下的超精細制程。

　　而華為憑借這一技術(shù)實(shí)現了7納米芯片的量產(chǎn)，結束了長(cháng)期依賴(lài)進(jìn)口的被動(dòng)局面。

　　中微半導體則專(zhuān)注于I-line(365納米)光刻機的研發(fā)，經(jīng)過(guò)十幾年的努力，終于實(shí)現了國產(chǎn)替代，只不過(guò)距離真正的I-line光刻機還有有些差距。

　　與此同時(shí)，中微半導體還在加緊推進(jìn)14納米技術(shù)的研發(fā)，有望在未來(lái)兩到三年內投產(chǎn)。

　　除上述三家龍頭企業(yè)外，國內還涌現出一批技術(shù)實(shí)力不俗的新興公司，如中科精華、常州新威半導體、納芯科技等，分別在A(yíng)rF、KrF和EUV等不同技術(shù)線(xiàn)上取得進(jìn)展。

　　可以說(shuō)，中國自主研發(fā)的光刻機已在很多領(lǐng)域取得了重要突破，根據中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )的數據，在A(yíng)rF和KrF光刻機領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已經(jīng)很高了。

　　在28納米及以上制程的I-line光刻機上，國產(chǎn)替代已初見(jiàn)成效;而在14納米及以下先進(jìn)制程，多家企業(yè)的技術(shù)線(xiàn)圖已漸趨清晰。

　　然而，與國際先進(jìn)水平相比，中國光刻機產(chǎn)業(yè)仍存在一定差距，最突出的短板在于EUV光刻機，該技術(shù)目前仍被荷蘭ASML公司完全壟斷。

　　為實(shí)現徹底的自主可控，中國制定了明確的發(fā)展線(xiàn)納米制程工藝的國產(chǎn)化，用國產(chǎn)光刻機滿(mǎn)足80%以上國內芯片企業(yè)的需求。

　　3年之內，則將力爭打破EUV光刻機的技術(shù)壟斷，成為全球第一家掌握EUV量產(chǎn)技術(shù)的光刻機生產(chǎn)商。

　　科研人員咬牙苦干，通過(guò)自主創(chuàng )新，逐步掌握了光刻機所需的關(guān)鍵技術(shù)，不斷提高本土零部件的自制能力。

　　中國在光刻機領(lǐng)域取得的成就，只是自主創(chuàng )新征程中的一個(gè)里程碑，未來(lái)，中國將繼續瞄準EUV光刻機等先進(jìn)技術(shù)。

　　目前，全球芯片制程發(fā)展的最新方向就是EUV，它利用極紫外線(xiàn)短波長(cháng)描繪芯片圖紋，可在同樣尺寸上放置更多電元件，大幅提高芯片的集成度。

　　X射線(xiàn)光刻機利用波長(cháng)更短的X射線(xiàn)納米甚至更精細的芯片制程，有望成為EUV的繼任者。

　　當然，X射線(xiàn)光刻機在制造和應用上也面臨諸多技術(shù)挑戰，比如掩模板的制造工藝異常復雜且昂貴，X射線(xiàn)的控制和安全防護也存在一定困難。

　　不過(guò)，這些困難并不能中國人的決心，事實(shí)上，多家單位已經(jīng)在X射線(xiàn)光刻機領(lǐng)域展開(kāi)了前瞻性研究，取得了初步進(jìn)展，為未來(lái)突破奠定基礎。

　　從光刻機的發(fā)展歷程可以看出，中國突破技術(shù)的決心是堅定的，自主創(chuàng )新的內生動(dòng)力也是充沛的。

　　回顧中國在光刻機領(lǐng)域的發(fā)展歷程，其中的曲折和艱辛可以說(shuō)是整個(gè)中國科技自立自強進(jìn)程的一個(gè)縮影。

　　從早期的自主研制與中途放棄，到后來(lái)依賴(lài)進(jìn)口受制于人，再到如今重新自主可控取得突破，中國芯片產(chǎn)業(yè)走過(guò)了一條漫長(cháng)而曲折的道。

　　當前，即便已取得重大突破，但中國芯片產(chǎn)業(yè)的整體自主水平仍有待提高，本土化程度也有進(jìn)一步提升的空間。

　　無(wú)論面臨何種困難和，中國必將以自主創(chuàng )新的力量突破重圍，譜寫(xiě)規則的嶄新篇章，因為，對于充滿(mǎn)雄心壯志的中國來(lái)說(shuō)，沒(méi)有什么是真正無(wú)法突破的!

　　觀(guān)察者網(wǎng)——2024-06-05《英特爾CEO：如果美出口管制太嚴，中國就必須生產(chǎn)自己的芯片》